Kétszeres bitsűrűséget ígér a Micron 400-nál több rétegű NAND-memóriája
Több adatot tárolna ugyanakkora felületen, gyorsabb adatátvitel és kisebb energiaigény mellett a Micron következő NAND-generációja. A G11 tömeggyártását 2027 második felére tervezik; az előnyök a nagy kapacitású SSD-knél és az MI-hez használt tárolóknál is megjelenhetnek, de egyelőre célértékekről van szó.
A kétszeres sűrűség mellé gyorsabb adatátvitelt terveznek
A Micron egy vállalati rendezvényen ismertette a G11 fő céljait. A jelenlegi G9, más néven N160 generációhoz képest hozzávetőleg kétszeres bitsűrűséget és akár 50%-kal nagyobb I/O-sebességet vár. Utóbbi a memória adatátviteli sebességére vonatkozik.
A beszámoló az alábbi várható értékekkel szemlélteti az előrelépést:
| Jellemző | G9 | G11 tervezett értéke |
|---|---|---|
| Bitsűrűség | 21 Gb/mm² | 42 Gb/mm² |
| I/O-sebesség | 3600 MT/s | 5400 MT/s |
Az adatátvitel bitenkénti energiaigényét több mint 25%-kal csökkentenék. Ez nem a teljes SSD fogyasztására tett ígéret: a közölt cél kifejezetten az adatok mozgatásához szükséges energiára vonatkozik. A sűrűségi és sebességi számokat is várható adatként kezeli a forrás, nem kész terméken igazolt eredményként.
Külön készül a memória és a hozzá tartozó áramkör
A G11 egyik lényeges változása a wafer-on-wafer bonding eljárás bevezetése. Ennél külön szilíciumostyán gyártják a memóriatömböt, illetve a hozzá tartozó vezérlő- és adatátviteli áramköröket, majd a kettőt összeillesztik. Az egyes részekhez eltérő gyártástechnológiát használhatnak.
Ez nagyobb szabadságot ad a tárolócellák és a perifériaáramkörök egymástól független optimalizálásához. A Micron ettől nagyobb kapacitást és jobb teljesítményt vár, amennyiben a fejlesztés a tervek szerint halad.
Scott DeBoer, a vállalat technológiai és termékekért felelős vezetője szerint most érkezett el az eljárás bevezetésének megfelelő időpontja, költségek és termékkövetelmények szempontjából is.
Az SSD-k is profitálhatnak, a gyártás 2027-ben indulna
Az új memória 400-nál több NAND-réteget használna. A pontos aktív rétegszámot és a rétegcsoportok számát a forrás nem közli; további műszaki részleteket 2027-re, a tömeggyártás kezdetéhez közelebb vár.
A fejlesztés a hagyományos, nagy kapacitású kliens- és adatközponti SSD-knek egyaránt előnyt hozhat. Az MI-hez készülő tárolóeszközök szintén hasznosíthatják a nagyobb adatátviteli sebességet és a kedvezőbb energiaigényt. Ezek azonban a bejelentett memóriatechnológiától várt előnyök, nem egy most bemutatott SSD mért eredményei.
A G11 után sem csak a rétegszámot növelnék
A Micron a későbbi generációkhoz új anyagokat, sűrűbb cellaszerkezeteket, valamint energiahatékonyabb eszközöket és adatútvonalakat fejleszt. A vállalat terveiben a további rétegek hozzáadása mellett a memóriacellák méretének csökkentése is szerepel.
A cikk mesterséges intelligencia segítségével készült; a szerkesztőség ellenőrizte és jóváhagyta. Impresszum