A Micron elveti a 4F²-es DRAM-cellát, inkább a bevált felépítést zsugorítja
Papíron kisebb memóriacellát ígér, a Micron szerint mégsem ad érdemi sűrűségelőnyt a két évtizede vizsgált 4F²-es felépítés. A vállalat ezért a hagyományos 6F²-es megoldást fejleszti tovább: a kondenzátorok sűrűbb elrendezésével és fejlettebb gyártástechnológiával növelné az egy lapkára jutó kapacitást.
A kisebb tranzisztor önmagában nem elég
A 4F² jelölés olyan cellaterületet takar, amely a legkisebb litográfiai méret négyzetének négyszerese; a hagyományos 6F² esetében ennek hatszorosáról van szó. Azonos gyártási méretek mellett az előbbi megközelítőleg 33%-kal kisebb területet foglalhat el. Ez elméletben több memóriacellát engedne elhelyezni ugyanakkora szilíciumfelületen.
Scott DeBoer, a Micron elnöke, technológiai és termékfejlesztési vezetője szerint azonban a gyakorlatban nem a tranzisztor névleges területe szabja meg az adatsűrűséget. A döntő tényező a kondenzátorok mérete és osztásköze, vagyis az elrendezésük távolsága. Az alattuk elhelyezkedő tranzisztoroknak ehhez kell igazodniuk mindkét felépítésnél.
A kisebb tranzisztor tehát a vállalat magyarázata szerint nem eredményez automatikusan kisebb teljes cellát. A 4F² ráadásul további gyártási lépéseket igényel, amelyek növelik a bonyolultságot és a költséget.
Kísérleti eszköz készült, gyártási váltás nem lesz
A Micron nem megvalósíthatatlannak tartja az eljárást: maga is készített ilyen kísérleti eszközöket. DeBoer elmondása szerint a vállalat az elmúlt két évtizedben újra meg újra mérlegelte ezt az irányt, de a többletköltség és az összetettebb előállítás miatt nem választotta.
A vezető szerint a méretek további csökkentésével alapvető fizikai korlátok is jelentkeznek, bár ezek konkrét természetét nem részletezte. A Samsung és az SK hynix terveiben ugyanakkor a TechInsights adatai szerint továbbra is szerepelnek 4F²-es memóriacellák.
Az 1δ tömeggyártását 2027 második felére tervezik
A következő lépés a Micron számára a 6F²-es felépítés további zsugorítása. A cég szerint a kondenzátorok osztásközének csökkentésével alapvetően új tranzisztorszerkezet nélkül is növelhető a tárolási sűrűség.
Ebben fejlettebb litográfia, új anyagok és a szilíciumszeletek összekapcsolása segítheti. A vállalat ezekkel még több generáción keresztül fejlesztené a síkbeli DRAM-gyártást. A következő, 1δ jelű gyártástechnológia tömeggyártását 2027 második felére ütemezik, a későbbi nemzedékekhez pedig High-NA EUV-litográfia bevezetését tervezik.
Hosszabb távon egymás fölé kerülhetnek a cellák
A Micron hosszú távú iránya a 3D DRAM. Ennél a memóriacellákat függőlegesen egymás fölé helyeznék, nem kizárólag az oldalirányú méreteik csökkentésére támaszkodnának.
A vállalat a következő síkbeli eljárások mellett már több ilyen gyártástechnológiai generáción dolgozik. Az átállást DeBoer ahhoz köti, hogy a sűrűség, a gyártás összetettsége és a költség megfelelő egyensúlyba kerüljön. A forrás a kereskedelmi gyártás indulására nem közöl időpontot.
A cikk mesterséges intelligencia segítségével készült; a szerkesztőség ellenőrizte és jóváhagyta. Impresszum